0.96インチTFT LCDディスプレイ

TFTスクリーンには、液晶の背面に特別なライトパイプが装備されており、画面上のさまざまな独立したピクセルを積極的に制御できます。これは、いわゆるアクティブマトリックスTFT（アクティブマトリックスTFT）の起源であり、応答時間を大幅に改善できます。一般的に、TFTの応答時間は比較的高速で、約80ミリ秒、STNは200ミリ秒です。改善が必要な場合、Flickerは受動的なマトリックスOLEDが発生します。また、TFTはアクティブマトリックスLCDであるため、液晶の配置を記憶することができ、電流が有機発光ダイオードディスプレイが消えた直後に元の状態に戻りません。

TFTディスプレイのディスプレイは、逆透明照明モードを採用します。想定される光源パスは、TNLCDのように上から下までではなく、下から上部0.96インチOLEDです。この方法は、LCDの背面に特別な光パイプを設定することであり、照射すると光源が下部偏光子を通って上方に浸透します。上部および下部の層間電極はFET電極と共通電極に変更されるため、FET電極がオンになると、LCD分子の性能も変化し、光シールドと光透過を通じてディスプレイの目的を達成できます。応答時間は約80ミリ秒に大幅に改善されます。 Contrast比が高いため、TN-LCDよりも高い色の色が高く、画面更新周波数が高くなるため、TFTは一般に真の色0.42-1.3インチOLEDとして知られています。

DSTNと比較して、TFT-LCDの主な機能は、各ピクセルの半導体スイッチングデバイスを構成することです。各ピクセルはドットパルスによって直接制御できるためです。したがって、各ノードは比較的独立しており、継続的に制御できます。この設計方法は、ディスプレイ画面の応答速度を改善するだけでなく、ディスプレイグレーレベルを正確に制御するため、TFTの色はDSTNよりも現実的です。

TFTはまた、STNフリッカー（ウォーターリップル）のぼやけを改善し、動的画像を再生する機能を効果的に向上させます。 STNと比較して、TFTは優れた色の飽和、回復能力、より高いコントラストを持っていますが、不利な点は高い消費電力と高コストです。

TFT LCD画面技術的特性

TFTテクノロジーは1990年代に開発されました。新しい材料と新しいプロセスを使用した大規模な半導体フル積分回路製造技術は、液晶、無機および有機薄膜電子発光（ELおよびOEL）フラットパネルディスプレイの基礎です。 TFTは、ガラスやプラスチック基板などの非シングルウェーハです（もちろん、ウェーハ上にあることもあります）。製造回路に必要なさまざまな薄膜は、スパッタリングと化学堆積技術を通じて形成され、大規模な半導体統合回路（LSIC）は、薄膜処理によって製造されています。非シングルクリスタル基質の使用は、コストを大幅に削減できます。これは、従来の大規模な統合回路の大規模なエリア、多機能、および低コストの方向への拡張です。シリコンで大規模な積分回路を製造するよりも、大型エリアのガラスまたはプラスチック基板上のピクセル（LCまたはOLED）のスイッチング性能を制御するTFTを製造することはより困難です。生産環境の要件（浄化度100）、原材料の純度の要件（電子ガスの純度は99.999985％）、生産機器と生産機器の主な要件は半導体技術を超えています。